氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)和氧化鋯增韌氧化鋁(ZTA)由于制備工藝較為成熟、成本較低、綜合性能較好,目前在 DCB 陶瓷載板市場占據(jù)主流市場地位;而氮化硅(Si3N4)陶瓷材料由于綜合性能突出,采用 AMB 工藝制作的覆銅陶瓷載板在高功率、大溫變電力電子器件封裝領(lǐng)域發(fā)揮重要作用及優(yōu)勢,尤其在第三代半導(dǎo)體功率器件封裝領(lǐng)域是首選材料。
上述載板中,AMB 載板尤其是氮化硅 AMB 載板是當(dāng)下最具競爭力的第三代半導(dǎo)體 SiC 功率器件用封裝載板,隨著電力電子向高功率、大電流、高能量密度的方向快速發(fā)展,市場對于更高可靠性的氮化硅 AMB 載板的需求越來越迫切。目前,全球僅有富樂華、羅杰斯、Dowa、Denka 等少數(shù)企業(yè)具備量產(chǎn)工藝并實現(xiàn)大批量供應(yīng)。