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功率半導(dǎo)體行業(yè)特點趨勢及機遇挑戰(zhàn)

從產(chǎn)業(yè)競爭格局來看，全球功率半導(dǎo)體中高端產(chǎn)品生產(chǎn)廠商主要集中在美國、歐洲、日本和韓國。較于國際同行，中國功率半導(dǎo)體行業(yè)起步較晚，主要通過國外引進及國內(nèi)企業(yè)自主創(chuàng)新，逐步提升行業(yè)的國產(chǎn)化程度，滿足日益增長的下游需求。國際廠商在技術(shù)和工藝方面具有先發(fā)優(yōu)勢，產(chǎn)品門類更為齊全，形成規(guī)模經(jīng)濟，整體競爭力較國內(nèi)企業(yè)更具優(yōu)勢。目前，只有少數(shù)本土公司通過長期的技術(shù)積累和持續(xù)的自主創(chuàng)新，在功率半導(dǎo)體的細分產(chǎn)品領(lǐng)域具備芯片研發(fā)、設(shè)計、制造全方位的差異化競爭優(yōu)勢，通過產(chǎn)品改進和客戶積累，在某些特定下游應(yīng)用領(lǐng)域具備國產(chǎn)替代優(yōu)勢，在國內(nèi)競爭主體眾多的環(huán)境中處于相對領(lǐng)先地位。

業(yè)界通常將國內(nèi)功率半導(dǎo)體市場的主要企業(yè)分為三個梯隊，相關(guān)梯隊及企業(yè)的構(gòu)成和特征如下表：

資料來源：普華有策整理

1、功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的特點及發(fā)展趨勢

作為電子系統(tǒng)中的基本單元，功率半導(dǎo)體是電力電子設(shè)備正常運行不可或缺的部件，應(yīng)用場景廣泛，且需求日益豐富。從行業(yè)技術(shù)和性能發(fā)展來看，功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)朝復(fù)雜化演進，功率半導(dǎo)體的襯底材料朝大尺寸和新材料方向發(fā)展；由于不同結(jié)構(gòu)和不同襯底材料的功率半導(dǎo)體電學(xué)性能和成本各有差異，在不同應(yīng)用場景各具優(yōu)勢，功率半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)多器件結(jié)構(gòu)和多襯底材料共存的特點。

（1）功率半導(dǎo)體是電力電子的基礎(chǔ)，需求場景日益豐富

功率半導(dǎo)體是構(gòu)成電力電子轉(zhuǎn)換裝置的核心組件，幾乎進入國民經(jīng)濟各個工業(yè)部門和社會生活的各個方面，電子設(shè)備應(yīng)用場景日益豐富，功率半導(dǎo)體的市場需求也與日俱增。隨著新應(yīng)用場景的出現(xiàn)和發(fā)展，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍已從傳統(tǒng)的消費電子、工業(yè)控制、電力傳輸、計算機、軌道交通、新能源等領(lǐng)域，擴展至物聯(lián)網(wǎng)、電動汽車、云計算和大數(shù)據(jù)等新興應(yīng)用領(lǐng)域，相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用場景如下：

資料來源：普華有策整理

消費電子和工業(yè)控制仍是功率半導(dǎo)體的主要應(yīng)用領(lǐng)域，2020 年消費電子和工業(yè)控制用功率半導(dǎo)體市場份額分別為23.8%和20.3%。

（2）從器件結(jié)構(gòu)來看，功率半導(dǎo)體呈現(xiàn)多世代并存的特點

功率半導(dǎo)體自20世紀(jì)50年代開始發(fā)展起來，至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和技術(shù)的應(yīng)用范圍，適應(yīng)更多終端產(chǎn)品的需求，但是，每類產(chǎn)品在功率、頻率、開關(guān)速度等參數(shù)上均具有不可替代的優(yōu)勢，功率半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)多世代并存的特點。

二極管結(jié)構(gòu)簡單，有單向?qū)щ娦?，只允許電流由單一方向流過，由于無法對導(dǎo)通電流進行控制，屬于不可控型器件。二極管廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中，主要用于整流、開關(guān)、穩(wěn)壓、限幅、續(xù)流、檢波等。

與二極管相比，晶閘管用微小的觸發(fā)電流即可控制主電路的開通，在實際應(yīng)用中主要作為可控整流器件和可控電子開關(guān)使用，主要用于電機調(diào)速和溫度控制等場景。此外，與其他功率半導(dǎo)體相比，晶閘管具有更高電壓，更大電流的處理能力，在大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有獨特的優(yōu)勢，主要應(yīng)用場景有工業(yè)控制的電源模塊、電力傳輸?shù)臒o功補償裝置、家用電器的控制板等領(lǐng)域。

MOSFET為電壓控制型器件，具有開關(guān)和功率調(diào)節(jié)功能。與二極管和晶閘管依靠電流驅(qū)動相比，電壓驅(qū)動器件電路結(jié)構(gòu)簡單；與其它功率半導(dǎo)體相比，MOSFET的開關(guān)速度快、開關(guān)損耗小，能耗低、熱穩(wěn)定性好、便于集成；MOSFET在節(jié)能以及便攜領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。例如，在消費電子、工業(yè)控制、不間斷電源、光伏逆變器、充電樁的電源模塊、新能源車的驅(qū)動控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。

IGBT為電壓驅(qū)動型器件，耐壓高，工作頻率介于晶閘管和MOSFET之間，能耗低、散熱小，器件穩(wěn)定性高。在低壓下MOSFET相對IGBT在電性能和價格上具有優(yōu)勢；超過600V以上，IGBT的相對優(yōu)勢凸顯，電壓越高，IGBT優(yōu)勢越明顯。IGBT在軌道交通、汽車電子、風(fēng)力和光伏發(fā)電等高電壓領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。

（3）從襯底材料來看，硅基材料的晶圓襯底為市場主流

目前，全球半導(dǎo)體襯底材料已經(jīng)發(fā)展到第三代，包括以硅（Si）、鍺（Ge）等為代表的第一代元素半導(dǎo)體材料，以砷化鎵（GaAs）等為代表的第二代化合物半導(dǎo)體材料，以及以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料。新材料進一步改善功率半導(dǎo)體的性能，但整體來看，硅基材料的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品仍是市場主流。

近年來，隨著第三代寬禁帶材料半導(dǎo)體迅速發(fā)展，SiC與GaN功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用規(guī)模開始持續(xù)增長。相對于硅襯底，寬禁帶材料半導(dǎo)體具有更大的禁帶寬度，在單位尺寸上能獲得更高的器件耐壓，以寬禁帶材料為襯底制作的功率半導(dǎo)體器件尺寸更小，在特定應(yīng)用場景具有優(yōu)勢。但由于生產(chǎn)規(guī)模還相對較小，生產(chǎn)技術(shù)有待成熟，產(chǎn)品價格相對較高，其應(yīng)用場景受到了一定的限制。

硅材料因其具有單方向?qū)щ娞匦浴崦籼匦?、光電特性、摻雜特性等優(yōu)良性能，可以生長為大尺寸高純度晶體，且儲量豐富、價格低廉，故而成為全球應(yīng)用最廣泛、最重要的半導(dǎo)體襯底材料。在物理性能方面，硅氧化膜性能優(yōu)異，與其它襯底材料相比，與硅晶格適配性好，器件穩(wěn)定性好。目前全球半導(dǎo)體市場中，90%以上的芯片都是基于硅材料制造而成。

（4）從硅片尺寸來看，硅片朝大尺寸方向發(fā)展

半導(dǎo)體的生產(chǎn)效率和成本與硅片尺寸直接相關(guān)。一般來說，硅片尺寸越大，用于產(chǎn)出半導(dǎo)體芯片的效率越高，單位耗用原材料越少。但隨著尺寸增大，硅片的處理工藝難度越高。按照量產(chǎn)尺寸來看，半導(dǎo)體硅片主要有2英寸、3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸等規(guī)格。

在半導(dǎo)體材料選擇上，晶圓制造廠商會綜合考慮生產(chǎn)效率、工藝難度及生產(chǎn)成本等多項因素，使用不同尺寸的硅片來匹配不同應(yīng)用場景，以達到效益最大化。8英寸及12英寸硅片主要用于集成電路（IC），具體包括存儲芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高性能FPGA與ASIC芯片等；8英寸及以下半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于功率半導(dǎo)體、電源管理器、非易失性存儲器、MEMS、顯示驅(qū)動芯片與指紋識別芯片等。

2、功率半導(dǎo)體行業(yè)面臨的機遇及挑戰(zhàn)

（1）機遇

A、產(chǎn)業(yè)政策的支持提供了良好的政策環(huán)境

功率半導(dǎo)體行業(yè)為國家政策支持的行業(yè)?！懂a(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（2019 年版）》鼓勵電力電子器件及高性能覆銅板；《基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃（2021-2023 年）》實施重點產(chǎn)品高端提升行動，重點發(fā)展高可靠半導(dǎo)體分立器件及模塊。2020 年 3 月，我國提出加快 5G 網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心等新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)（簡稱“新基建”）進度。“新基建”中的每個行業(yè)均離不開電能，功率半導(dǎo)體作為電能處理的核心器件將隨著“新基建”的推進迎來不斷增長的市場空間。國家產(chǎn)業(yè)政策同時從供給和需求端為功率半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展?fàn)I造了良好的政策環(huán)境。

B、產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移為國產(chǎn)化提供了機遇

根據(jù)市場發(fā)展規(guī)律，制造業(yè)鄰近下游需求的空間分布，能夠降低生產(chǎn)成本、促進產(chǎn)品開發(fā)合作、縮短供貨周期、及時響應(yīng)客戶需求，下游需求的崛起為孕育上游本土化的功率半導(dǎo)體企業(yè)創(chuàng)造了優(yōu)沃土壤。相比國外廠商，國內(nèi)廠商與下游客戶的距離更近，客戶的溝通交流更加順暢，并且在客戶需求服務(wù)響應(yīng)、降低成本等方面具有競爭優(yōu)勢，功率半導(dǎo)體國產(chǎn)替代率逐漸上升是大勢所趨。此外，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售從導(dǎo)入到驗證需要一定的周期，因此，在客戶拓展正式形成銷售后具有較強的客戶粘性。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和國產(chǎn)化政策的驅(qū)動下，中國功率半導(dǎo)體企業(yè)迎來了發(fā)展壯大的產(chǎn)業(yè)環(huán)境。

C、下游需求發(fā)展提供了直接支撐

功率半導(dǎo)體的應(yīng)用十分廣泛，幾乎覆蓋了所有的電子制造業(yè)，且隨著新應(yīng)用場景的出現(xiàn)而發(fā)展。隨著“智能制造”和“新基建”等國家政策的深入推進，上述每個行業(yè)均離不開電能，功率半導(dǎo)體作為電能處理的核心器件將隨著“智能制造”和“新基建”的推進迎來不斷增長的市場空間。此外，“碳達峰、碳中和”雙碳戰(zhàn)略的落實，功率半導(dǎo)體作為新能源裝置的重要零部件之一，將迎來不斷增長的市場空間。需求端的發(fā)展為功率半導(dǎo)體行業(yè)提供了良好的市場環(huán)境。

（2）挑戰(zhàn)

A、技術(shù)壁壘

目前，在功率半導(dǎo)體市場，國外廠商占據(jù)了主導(dǎo)地位。由于國外半導(dǎo)體公司對其掌握的先進技術(shù)實行嚴(yán)格的技術(shù)封鎖，本土企業(yè)很難直接從大型半導(dǎo)體公司學(xué)習(xí)先進技術(shù)，必須依靠自主研發(fā)實現(xiàn)技術(shù)突破，在一定程度上延緩了我國高端功率半導(dǎo)體的發(fā)展速度。

B、市場下行

功率半導(dǎo)體由于其應(yīng)用場景豐富，下游需求廣泛。目前，受益于下游市場需求增長，功率半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣度較高，但不排除未來市場形勢發(fā)生變化，進入周期性調(diào)整階段，出現(xiàn)下游市場需求降低、產(chǎn)品供給過剩等情形，導(dǎo)致產(chǎn)品價格下跌，制造企業(yè)產(chǎn)能過剩、產(chǎn)能利用率不足，從而對公司的生產(chǎn)經(jīng)營形成挑戰(zhàn)。

更多行業(yè)資料請參考普華有策咨詢《2022-2028年國內(nèi)外功率半導(dǎo)體行業(yè)深度調(diào)查及投資前景預(yù)測報告》，同時普華有策咨詢還提供產(chǎn)業(yè)研究報告、產(chǎn)業(yè)鏈咨詢、項目可行性報告、十四五規(guī)劃、BP商業(yè)計劃書、產(chǎn)業(yè)圖譜、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、藍白皮書、IPO募投可研、IPO工作底稿咨詢等服務(wù)。

目錄

第一章　功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概述

1.1　半導(dǎo)體相關(guān)介紹

1.1.1　半導(dǎo)體的定義

1.1.2　半導(dǎo)體的分類

1.1.3　半導(dǎo)體的應(yīng)用

1.2　功率半導(dǎo)體相關(guān)概述

1.2.1　功率半導(dǎo)體介紹

1.2.2　功率半導(dǎo)體發(fā)展歷史

1.2.3　功率半導(dǎo)體性能要求

1.3　功率半導(dǎo)體分類情況

1.3.1　主要種類

1.3.2　MOSFET

1.3.3　IGBT

1.3.4　整流管

1.3.5　晶閘管

第二章　2017-2021年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述

2.1　2017-2021年全球半導(dǎo)體市場總體分析

2.1.1　市場銷售規(guī)模

2.1.2　收入增長結(jié)構(gòu)

2.1.3　產(chǎn)業(yè)研發(fā)支出

2.1.4　市場競爭格局

2.1.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景

2.2　中國半導(dǎo)體行業(yè)政策驅(qū)動因素分析

2.2.1　《中國制造2025》相關(guān)政策

2.2.2　集成電路產(chǎn)業(yè)扶持政策

2.2.3　集成電路企業(yè)稅收政策

2.2.4　國家產(chǎn)業(yè)基金發(fā)展支持

2.3　2017-2021年中國半導(dǎo)體市場運行狀況

2.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程

2.3.2　產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模

2.3.3　區(qū)域分布情況

2.3.4　自主創(chuàng)新發(fā)展

2.3.5　發(fā)展機會分析

2.4　中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析

2.4.1　產(chǎn)業(yè)技術(shù)落后

2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展困境

2.4.3　市場壟斷困境

2.5　中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議分析

2.5.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略

2.5.2　產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化發(fā)展

2.5.3　加強技術(shù)創(chuàng)新

2.5.4　突破壟斷策略

第三章　2017-2021年功率半導(dǎo)體上下游產(chǎn)業(yè)鏈分析

3.1　功率半導(dǎo)體價值鏈分析

3.1.1　價值鏈核心環(huán)節(jié)

3.1.2　設(shè)計環(huán)節(jié)的發(fā)展價值

3.1.3　價值鏈競爭形勢分析

3.2　功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈整體結(jié)構(gòu)

3.2.1　產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)圖

3.2.2　相關(guān)上市公司

3.3　功率半導(dǎo)體上游領(lǐng)域分析

3.3.1　上游材料領(lǐng)域

3.3.2　上游設(shè)備領(lǐng)域

3.3.3　重點行業(yè)分析

3.3.4　上游相關(guān)企業(yè)

3.4　功率半導(dǎo)體下游領(lǐng)域分析

3.4.1　主要應(yīng)用領(lǐng)域

3.4.2　創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域

3.4.3　下游相關(guān)企業(yè)

第四章　2017-2021年功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

4.1　2017-2021年全球功率半導(dǎo)體發(fā)展分析

4.1.1　發(fā)展驅(qū)動因素

4.1.2　市場發(fā)展規(guī)模

4.1.3　細分市場占比

4.1.4　企業(yè)競爭格局

4.1.5　應(yīng)用領(lǐng)域狀況

4.1.6　廠商擴產(chǎn)情況

4.2　2017-2021年中國功率半導(dǎo)體發(fā)展分析

4.2.1　行業(yè)發(fā)展特點

4.2.2　市場發(fā)展規(guī)模

4.2.3　市場競爭格局

4.2.4　支持基金分布

4.2.5　企業(yè)研發(fā)狀況

4.2.6　下游應(yīng)用狀況

4.3　2017-2021年國內(nèi)功率半導(dǎo)體項目建設(shè)動態(tài)

4.3.1　碳化硅功率半導(dǎo)體模塊封測項目

4.3.2　揚杰功率半導(dǎo)體芯片封測項目

4.3.3　臺芯科技大功率半導(dǎo)體IGBT模塊項目

4.3.4　露笑科技第三代半導(dǎo)體項目

4.3.5　12英寸車規(guī)級功率半導(dǎo)體項目

4.3.6　富能功率半導(dǎo)體8英寸項目

4.4　功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展困境及建議

4.4.1　行業(yè)發(fā)展困境

4.4.2　行業(yè)發(fā)展建議

第五章　2017-2021年功率半導(dǎo)體主要細分市場發(fā)展分析——MOSFET

5.1　MOSFET產(chǎn)業(yè)發(fā)展概述

5.1.1　MOSFET主要類型

5.1.2　MOSFET發(fā)展歷程

5.1.3　MOSFET產(chǎn)品介紹

5.2　2017-2021年MOSFET市場發(fā)展?fàn)顩r分析

5.2.1　行業(yè)驅(qū)動因素

5.2.2　市場發(fā)展規(guī)模

5.2.3　市場競爭格局

5.2.4　企業(yè)競爭優(yōu)勢

5.2.5　價格變動影響

5.3　MOSFET產(chǎn)業(yè)分層次發(fā)展情況分析

5.3.1　分層情況

5.3.2　低端層次

5.3.3　中端層次

5.3.4　高端層次

5.3.5　對比分析

5.4　MOSFET主要應(yīng)用領(lǐng)域分析

5.4.1　應(yīng)用領(lǐng)域介紹

5.4.2　下游行業(yè)分析

5.4.3　需求動力分析

5.5　MOSFET市場前景展望及趨勢分析

5.5.1　市場空間測算

5.5.2　長期發(fā)展趨勢

第六章　2017-2021年功率半導(dǎo)體主要細分市場發(fā)展分析——IGBT

6.1　2017-2021年全球IGBT行業(yè)發(fā)展分析

6.1.1　行業(yè)發(fā)展歷程

6.1.2　市場發(fā)展規(guī)模

6.1.3　市場競爭格局

6.1.4　下游應(yīng)用占比

6.2　2017-2021年中國IGBT行業(yè)發(fā)展分析

6.2.1　市場發(fā)展規(guī)模

6.2.2　商業(yè)模式分析

6.2.3　市場競爭格局

6.2.4　企業(yè)技術(shù)布局

6.2.5　應(yīng)用領(lǐng)域分布

6.3　IGBT產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展分析

6.3.1　國際IGBT產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)分布

6.3.2　國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈基礎(chǔ)分析

6.3.3　國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈配套問題

6.4　IGBT主要應(yīng)用領(lǐng)域分析

6.4.1　工業(yè)控制領(lǐng)域

6.4.2　家電領(lǐng)域應(yīng)用

6.4.3　新能源發(fā)電領(lǐng)域

6.4.4　新能源汽車

6.4.5　軌道交通

6.5　IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇及前景展望

6.5.1　國產(chǎn)發(fā)展機遇

6.5.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向

6.5.3　發(fā)展前景展望

第七章　2017-2021年功率半導(dǎo)體新興細分市場發(fā)展分析

7.1　碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體

7.1.1　產(chǎn)品優(yōu)勢分析

7.1.2　市場發(fā)展歷程

7.1.3　市場發(fā)展規(guī)模

7.1.4　企業(yè)競爭格局

7.1.5　下游市場應(yīng)用

7.1.6　產(chǎn)品技術(shù)挑戰(zhàn)

7.1.7　未來發(fā)展展望

7.2　氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體

7.2.1　產(chǎn)品優(yōu)勢分析

7.2.2　產(chǎn)業(yè)鏈條結(jié)構(gòu)

7.2.3　市場競爭格局

7.2.4　應(yīng)用領(lǐng)域分布

7.2.5　發(fā)展前景展望

第八章　2017-2021年功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展分析

8.1　功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展概況

8.1.1　技術(shù)演進方式

8.1.2　技術(shù)演變歷程

8.1.3　技術(shù)發(fā)展趨勢

8.2　2017-2021年國內(nèi)功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r

8.2.1　新型產(chǎn)品發(fā)展

8.2.2　區(qū)域發(fā)展?fàn)顩r

8.2.3　車規(guī)級技術(shù)發(fā)展

8.3　IGBT技術(shù)進展及挑戰(zhàn)分析

8.3.1　封裝技術(shù)分析

8.3.2　車用技術(shù)要求

8.3.3　技術(shù)發(fā)展挑戰(zhàn)

8.4　車規(guī)級IGBT的技術(shù)挑戰(zhàn)與解決方案

8.4.1　技術(shù)難題與挑戰(zhàn)

8.4.2　車規(guī)級IGBT拓撲結(jié)構(gòu)

8.4.3　車規(guī)級IGBT技術(shù)解決方案

8.5　車規(guī)級功率器件技術(shù)發(fā)展趨勢分析

8.5.1　精細化技術(shù)

8.5.2　超結(jié)IGBT技術(shù)

8.5.3　高結(jié)溫終端技術(shù)

8.5.4　先進封裝技術(shù)

8.5.5　功能集成技術(shù)

第九章　2017-2021年功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下游應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展分析

9.1　消費電子領(lǐng)域

9.1.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)模

9.1.2　產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成效

9.1.3　應(yīng)用潛力分析

9.2　傳統(tǒng)汽車電子領(lǐng)域

9.2.1　產(chǎn)業(yè)相關(guān)概述

9.2.2　產(chǎn)業(yè)鏈條分析

9.2.3　市場發(fā)展規(guī)模

9.2.4　市場競爭格局

9.2.5　應(yīng)用潛力分析

9.3　新能源汽車領(lǐng)域

9.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

9.3.2　器件應(yīng)用情況

9.3.3　應(yīng)用潛力分析

9.3.4　應(yīng)用價值對比

9.3.5　市場空間測算

9.4　工業(yè)控制領(lǐng)域

9.4.1　驅(qū)動因素分析

9.4.2　市場發(fā)展規(guī)模

9.4.3　核心領(lǐng)域發(fā)展

9.4.4　市場競爭格局

9.4.5　未來發(fā)展展望

9.5　家用電器領(lǐng)域

9.5.1　家電行業(yè)發(fā)展階段

9.5.2　家電行業(yè)運行規(guī)模

9.5.3　變頻家電應(yīng)用需求

9.5.4　變頻家電銷售數(shù)量

9.5.5　變頻家電應(yīng)用前景

9.6　其他應(yīng)用領(lǐng)域

9.6.1　物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域

9.6.2　新能源發(fā)電領(lǐng)域

第十章　國際功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營分析

10.1　A公司

10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.1.2　企業(yè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品介紹

10.1.3　企業(yè)經(jīng)營狀況分析

10.1.4　企業(yè)營收構(gòu)成分析

10.2　B公司

10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.2.2　企業(yè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品介紹

10.2.3　企業(yè)經(jīng)營狀況分析

10.2.4　企業(yè)營收構(gòu)成分析

10.3　C公司

10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.3.2　企業(yè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品介紹

10.3.3　企業(yè)經(jīng)營狀況分析

10.3.4　企業(yè)營收構(gòu)成分析

10.4　D公司

10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.4.2　企業(yè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品介紹

10.4.3　企業(yè)經(jīng)營狀況分析

10.4.4　企業(yè)營收構(gòu)成分析

10.5　E公司

10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.5.2　企業(yè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品介紹

10.5.3　企業(yè)經(jīng)營狀況分析

10.5.4　企業(yè)營收構(gòu)成分析

第十一章　中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營分析

11.1　A公司

11.1.1　企業(yè)發(fā)展概況

11.1.2　經(jīng)營效益分析

11.1.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析

11.1.4　財務(wù)狀況分析

11.1.5　核心競爭力分析

11.1.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

11.2　B公司

11.2.1　企業(yè)發(fā)展概況

11.2.2　經(jīng)營效益分析

11.2.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析

11.2.4　財務(wù)狀況分析

11.2.5　核心競爭力分析

11.2.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

11.3　C公司

11.3.1　企業(yè)發(fā)展概況

11.3.2　經(jīng)營效益分析

11.3.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析

11.3.4　財務(wù)狀況分析

11.3.5　核心競爭力分析

11.3.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

11.4　D公司

11.4.1　企業(yè)發(fā)展概況

11.4.2　經(jīng)營效益分析

11.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析

11.4.4　財務(wù)狀況分析

11.4.5　核心競爭力分析

11.5　E公司

11.5.1　企業(yè)發(fā)展概況

11.5.2　經(jīng)營效益分析

11.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析

11.5.4　財務(wù)狀況分析

11.5.5　核心競爭力分析

11.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

第十二章　中國功率半導(dǎo)體行業(yè)典型項目投資建設(shè)深度解析

12.1　超薄微功率半導(dǎo)體芯片封測項目

12.1.1　項目基本概況

12.1.2　項目實施進度

12.1.3　項目投資概算

12.1.4　項目經(jīng)濟效益

12.1.5　項目可行性分析

12.2　華潤微功率半導(dǎo)體封測基地項目

12.2.1　項目基本概況

12.2.2　項目實施規(guī)劃

12.2.3　項目投資必要性

12.2.4　項目投資可行性

12.3　功率半導(dǎo)體“車規(guī)級”封測產(chǎn)業(yè)化項目

12.3.1　項目基本概況

12.3.2　項目投資概算

12.3.3　項目投資規(guī)劃

12.3.4　項目經(jīng)濟效益

12.3.5　項目投資必要性

12.3.6　項目投資可行性

12.4　嘉興斯達功率半導(dǎo)體項目

12.4.1　項目基本概況

12.4.2　項目投資計劃

12.4.3　項目投資必要性

12.4.4　項目投資可行性

第十三章　功率半導(dǎo)體行業(yè)投資壁壘及風(fēng)險分析

13.1　功率半導(dǎo)體行業(yè)投資壁壘

13.1.1　技術(shù)壁壘

13.1.2　人才壁壘

13.1.3　資金壁壘

13.1.4　其他壁壘

13.2　功率半導(dǎo)體行業(yè)投資風(fēng)險

13.2.1　宏觀經(jīng)濟波動風(fēng)險

13.2.2　政策導(dǎo)向變化風(fēng)險

13.2.3　原材料風(fēng)險

13.2.4　國際市場競爭風(fēng)險

13.2.5　技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新風(fēng)險

13.2.6　其他風(fēng)險

13.3　功率半導(dǎo)體行業(yè)投資邏輯及建議

13.3.1　投資邏輯分析

13.3.2　投資方向建議

13.3.3　企業(yè)投資建議

第十四章　2022-2028年功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇及前景展望

14.1　功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇分析

14.1.1　進口替代機遇分析

14.1.2　能效標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定機遇

14.1.3　終端應(yīng)用升級機遇

14.1.4　工業(yè)市場應(yīng)用機遇

14.1.5　汽車市場應(yīng)用機遇

14.2　功率半導(dǎo)體未來需求應(yīng)用場景

14.2.1　清潔能源行業(yè)的發(fā)展

14.2.2　新能源汽車行業(yè)的發(fā)展

14.2.3　物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的發(fā)展

14.3　功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢

14.4　2022-2028年中國功率半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)測分析

14.4.1　2022-2028年中國功率半導(dǎo)體行業(yè)影響因素分析

14.4.2　2022-2028年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)測