由于芯片的線寬越來(lái)越窄,結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜,對(duì)于現(xiàn)有薄膜的性能參數(shù)精細(xì)化要求提高,也衍生出新的設(shè)備及薄膜材料的需求。在新薄膜材料方面,更強(qiáng)絕緣性能(低 k)的材料,與低 k 材料配套使用的新型阻擋層材料以及光刻工序中新的光掩膜工藝硬掩模層材料得到應(yīng)用。
未來(lái),5G通信技術(shù)、數(shù)據(jù)中心、智慧城市、汽車電子、人工智能等一系列新技術(shù)及市場(chǎng)需求做驅(qū)動(dòng),將使先進(jìn)制程產(chǎn)線占比提高,進(jìn)一步加速薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模攀升。隨著 3D NAND FLASH 芯片的內(nèi)部層數(shù)不斷增高,對(duì)于薄膜沉積設(shè)備的需求提升的趨勢(shì)亦將延續(xù)。