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數(shù)據(jù)存儲設(shè)備主要類型及行業(yè)發(fā)展趨勢分析（附報告目錄）

1、數(shù)據(jù)存儲設(shè)備行業(yè)基本概況

數(shù)據(jù)存儲設(shè)備是將信息數(shù)字化后，再以利用電、磁或光學(xué)等方式的媒體加以存儲的設(shè)備。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。按存儲介質(zhì)的不同，存儲設(shè)備可以分為光學(xué)存儲、磁性存儲和半導(dǎo)體存儲三大類，產(chǎn)品形態(tài)包括采用光學(xué)存儲的 CD、DVD；采用磁能存儲的軟盤、機械硬盤、磁帶等；以及采用半導(dǎo)體存儲的 RAM（random access memory，隨機存儲器）、ROM（read only memory，只讀存儲器），即內(nèi)存儲器、固態(tài)硬盤、U 盤等。

相關(guān)報告：北京普華有策信息咨詢有限公司《2020-2026年數(shù)據(jù)存儲設(shè)備行業(yè)細分市場調(diào)研與前景預(yù)測咨詢報告》

按存儲介質(zhì)的不同，存儲設(shè)備可以分為光學(xué)存儲、磁性存儲和半導(dǎo)體存儲

資料來源：普華有策

按照存儲的實現(xiàn)模式來劃分，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備包括 DAS（直連存儲）、SAN（存儲區(qū)域網(wǎng)）和 NAS（網(wǎng)絡(luò)存儲）等。DAS 就是普通計算機系統(tǒng)最常用的存儲方式，即將存儲介質(zhì)（硬盤）直接掛接在 CPU 的直接訪問總線上，優(yōu)點是訪問效率高，缺點是占用系統(tǒng)總線資源、掛接數(shù)量有限，一般適用于大眾級 PC 系統(tǒng)。SAN 是將存儲和傳統(tǒng)的計算機系統(tǒng)分開，系統(tǒng)對存儲的訪問通過專用的存儲網(wǎng)絡(luò)來訪問，對存儲的管理可交付于存儲網(wǎng)絡(luò)來管理，優(yōu)點是高效的存儲管理、存儲升級容易，而缺點則是系統(tǒng)較大，成本過高，一般適用于高端設(shè)備。NAS 則充分利用系統(tǒng)原有的網(wǎng)絡(luò)接口，對存儲的訪問是通過通用網(wǎng)絡(luò)接口，訪問通過高層接口實現(xiàn)，同時設(shè)備可專注于存儲的管理，擁有系統(tǒng)簡單、兼容現(xiàn)有系統(tǒng)、擴容方便等優(yōu)勢。

隨著移動互聯(lián)網(wǎng)的普及和物聯(lián)網(wǎng)時代的到來，越來越多的存儲類產(chǎn)品將具備一定網(wǎng)絡(luò)存儲功能和云存儲連接功能，云存儲功能將得到越來越廣泛的應(yīng)用。云存儲是一種網(wǎng)上在線存儲的模式，即把數(shù)據(jù)存放在通常由第三方托管的多臺虛擬服務(wù)器，而非專屬的服務(wù)器上，使用者可以在任何時間地點透過可聯(lián)網(wǎng)的終端連接到云端以存儲和獲取數(shù)據(jù)。未來具有無線傳輸功能和網(wǎng)絡(luò)連接功能的 NAS 存儲器、個人云存儲器等新產(chǎn)品將逐步推向市場，以滿足終端用戶日益增加的數(shù)據(jù)容量和便捷性需求。

2、數(shù)據(jù)存儲設(shè)備行業(yè)發(fā)展趨勢

隨著移動互聯(lián)網(wǎng)的普及和物聯(lián)網(wǎng)時代的到來，未來數(shù)據(jù)存儲設(shè)備行業(yè)在整體發(fā)展、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)以及產(chǎn)業(yè)角色方面都將發(fā)生深刻的變化，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：

（1）對數(shù)據(jù)資源的采集、挖掘和存儲使用需求不斷提升

我國信息消費蓬勃發(fā)展，網(wǎng)民數(shù)量超過 7 億，移動電話用戶規(guī)模已經(jīng)突破13 億，均居世界第一。政府部門、互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)、大型集團企業(yè)積累沉淀了大量的數(shù)據(jù)資源。我國已成為產(chǎn)生和積累數(shù)據(jù)量最大、數(shù)據(jù)類型最豐富的國家之一。

隨著“互聯(lián)網(wǎng)+”戰(zhàn)略的不斷推進，互聯(lián)網(wǎng)與各行各業(yè)的融合程度也在不斷加深，數(shù)據(jù)在行業(yè)發(fā)展中的戰(zhàn)略地位也越來越突出，用戶對數(shù)據(jù)給予了前所未有的重視，數(shù)據(jù)體量的增速將呈現(xiàn)指數(shù)增長態(tài)勢。數(shù)據(jù)量的增加以及數(shù)據(jù)類型的不斷豐富，直接推動了大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)以及包括數(shù)據(jù)存儲設(shè)備行業(yè)在內(nèi)的細分行業(yè)的發(fā)展。

（2）個人存儲需求上升

內(nèi)置存儲和外置存儲都是計算機系統(tǒng)不可或缺的組成部分，個人存儲產(chǎn)品也不例外，高容量和較高的安全性使外置存儲設(shè)備的重要性和使用頻率越來越高。智能手機、平板電腦等多種智能終端的普及，導(dǎo)致個人用戶所擁有的數(shù)據(jù)量正在成幾何倍數(shù)增長。隨著 4G 技術(shù)的普及、5G 即將到來帶來的存儲傳輸速度快速提高，人們對信息數(shù)據(jù)存取的大容量、便捷、可靠性要求越來越高。在物聯(lián)網(wǎng)時代下，海量的信息產(chǎn)生了巨大的信息存儲需求，尤其是超高清的視頻、圖像等文件的存儲、記錄需要較大的存儲空間，普通消費者對于本地數(shù)據(jù)存儲的需求日益增長。

（3）存儲介質(zhì)和新存儲技術(shù)發(fā)展

存儲器的革新主要有兩種手段，一是結(jié)構(gòu)上由 2D 變?yōu)?3D，二是采用新的存儲器件結(jié)構(gòu)或材料。3D XPoint 技術(shù)是最具革命性的熱點技術(shù)。

在 NAND Flash 閃存的主流制程進入 1x nm 時代后，越來越緊鄰的存儲單元之間的串?dāng)_效應(yīng)，越來越薄的柵氧化層導(dǎo)致的電子擊穿效應(yīng)，都使得 NAND Flash的可靠性和性能受到影響。此外，由于平面微縮工藝的難度越來越大，故微縮帶來的成本優(yōu)勢開始減弱，尤其是在 16nm 制程后，繼續(xù)采用 2D 微縮工藝的難度和成本已經(jīng)超過硅通孔，薄膜刻蝕等 3D 技術(shù)。3D NAND Flash 在保持工藝節(jié)點和單顆芯片面積不變的情況下，通過垂直提升堆疊層數(shù)大幅提升存儲容量、存儲速度，單位存儲容量成本得以大幅下降。

（4）云存儲正在改變著傳統(tǒng)存儲的提供與使用方式

隨著消費對便利性要求的不斷提高以及云計算技術(shù)的成熟，云存儲應(yīng)運而生并且得到了越來越廣泛的應(yīng)用。

云存儲是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，是通過集群應(yīng)用、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)或分布式文件系統(tǒng)等功能，將網(wǎng)絡(luò)中大量各種不同類型的存儲設(shè)備通過應(yīng)用軟件集合起來協(xié)同工作，共同對外提供數(shù)據(jù)存儲和業(yè)務(wù)訪問功能的系統(tǒng)。目前，鑒于云存儲的巨大優(yōu)勢，越來越多的企業(yè)已經(jīng)采用云存儲方案存儲企業(yè)信息，個人云存儲的應(yīng)用場景也在不斷拓展，例如多媒體文件的集中存儲和多屏共享已經(jīng)十分成熟，用戶可以很方便的在家中任何設(shè)備上觀看照片、錄像或電影等。云存儲是物聯(lián)網(wǎng)時代移動存儲設(shè)備行業(yè)的主要發(fā)展方向。

目錄

第1章:數(shù)據(jù)存儲設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述

1.1數(shù)據(jù)存儲設(shè)備行業(yè)概述

1.2數(shù)據(jù)存儲設(shè)備行業(yè)發(fā)展環(huán)境分析

1.2.1行業(yè)政策環(huán)境分析

1.2.2行業(yè)經(jīng)濟環(huán)境分析

1.2.3行業(yè)社會環(huán)境分析

1.2.4行業(yè)技術(shù)環(huán)境分析

第2章:國內(nèi)外光存儲發(fā)展?fàn)顩r分析

2.1光存儲行業(yè)發(fā)展概述

2.1.1概述定義及分類

2.1.2光存儲發(fā)展歷程及階段

2.1.3光存儲技術(shù)現(xiàn)狀與持征

2.2全球光存儲發(fā)展現(xiàn)狀分析

2.2.1全球光存儲行業(yè)發(fā)展概況

2.2.2全球光存儲市場規(guī)模分析

2.2.3全球光存儲競爭格局分析

2.2.4全球光存儲產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析

2.2.5全球光存儲區(qū)域分布情況

2.2.6全球光存儲新技術(shù)進展

2.3中國光存儲發(fā)展現(xiàn)狀分析

2.3.1中國光存儲行業(yè)發(fā)展歷程

2.3.2中國光存儲市場規(guī)模分析

2.3.3中國光存儲競爭格局分析

2.3.4中國光存儲產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析

第3章:國內(nèi)外磁存儲發(fā)展?fàn)顩r分析

3.1磁存儲行業(yè)發(fā)展概述

3.1.1磁存儲相關(guān)概述

3.1.2磁存儲發(fā)展歷程及階段

3.1.3磁存儲技術(shù)現(xiàn)狀與特征

3.2全球磁存儲發(fā)展現(xiàn)狀分析

3.2.1全球磁存儲行業(yè)發(fā)展概況

3.2.2全球磁存儲市場規(guī)模分析

3.2.3全球磁存儲競爭格局分析

3.2.4全球磁存儲產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析

3.2.5全球磁存儲區(qū)域分布情況

3.2.6全球磁存儲新技術(shù)進展

3.3中國磁存儲發(fā)展現(xiàn)狀分析

3.3.1中國磁存儲行業(yè)發(fā)展歷程

3.3.2中國磁存儲市場規(guī)模分析

3.3.3中國磁存儲競爭格局分析

3.3.4中國磁存儲產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析

3.4主要國家磁存儲發(fā)展分析

3.4.1美國磁存儲行業(yè)發(fā)展分析

(1)美國磁存儲市場規(guī)模分析

(2)美國磁存儲新技術(shù)進展

(3)美國磁存儲企業(yè)競爭分析

(4)美國磁存儲行業(yè)發(fā)展趨勢

3.4.2日本磁存儲行業(yè)發(fā)展分析

(1)日本磁存儲市場規(guī)模分析

(2)日本磁存儲新技術(shù)進展

(3)日本磁存儲企業(yè)競爭分析

(4)日本磁存儲行業(yè)發(fā)展趨勢

3.4.3韓國磁存儲行業(yè)發(fā)展分析

(1)韓國磁存儲市場規(guī)模分析

(2)韓國磁存儲新技術(shù)進展

(3)韓國磁存儲企業(yè)競爭分析

(4)韓國磁存儲行業(yè)發(fā)展趨勢

第4章:國內(nèi)外半導(dǎo)體存儲發(fā)展?fàn)顩r分析

4.1半導(dǎo)體存儲行業(yè)發(fā)展概述

4.1.1半導(dǎo)體存儲相關(guān)概述

4.1.2半導(dǎo)體存儲發(fā)展歷程及階段

4.1.3半導(dǎo)體存儲技術(shù)現(xiàn)狀與特征

4.2全球半導(dǎo)體存儲發(fā)展現(xiàn)狀分析

4.2.1全球半導(dǎo)體存儲行業(yè)發(fā)展概況

4.2.2全球半導(dǎo)體存儲市場規(guī)模分析

4.2.3全球半導(dǎo)體存儲競爭格局分析

4.2.4全球半導(dǎo)體存儲區(qū)域分布情況

4.2.5全球半導(dǎo)體存儲新技術(shù)進展

4.3中國半導(dǎo)體存儲發(fā)展現(xiàn)狀分析

4.3.1中國半導(dǎo)體存儲行業(yè)發(fā)展歷程

4.3.2中國半導(dǎo)體存儲市場規(guī)模分析

4.3.3中國半導(dǎo)體存儲競爭格局分析

4.3.4中國半導(dǎo)體存儲業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)分析

4.4主要國家半導(dǎo)體存儲發(fā)展分析

4.4.1美國半導(dǎo)體存儲行業(yè)發(fā)展分析

(1)美國半導(dǎo)體存儲市場規(guī)模分析

(2)美國半導(dǎo)體存儲新技術(shù)進展

(3)美國半導(dǎo)體存儲企業(yè)競爭分析

(4)美國半導(dǎo)體存儲行業(yè)發(fā)展趨勢

4. 4.2歐盟半導(dǎo)體存儲行業(yè)發(fā)展分析

(1)歐盟半導(dǎo)體存儲市場規(guī)模分析

(2)歐盟半導(dǎo)體存儲新技術(shù)進展

(3)歐盟半導(dǎo)體存儲企業(yè)競爭分析

(4)歐盟半導(dǎo)體存儲行業(yè)發(fā)展趨勢

4.5國內(nèi)外半導(dǎo)體存儲發(fā)展前景預(yù)測

4.5.1半導(dǎo)體存儲行業(yè)發(fā)展趨勢

4. 5.2半導(dǎo)體存儲市場前景預(yù)測

第5章:國內(nèi)外存儲器重點細分市場分析

5.1　DRAM存儲器

5.1.1　DRAM主要分類

5.1.2　DRAM需求結(jié)構(gòu)

5.1.3　DRAM競爭格局

5.1.4　DRAM價格走勢

5.1.5　DRAM發(fā)展展望

5.1.6　DRAM規(guī)模預(yù)測

5.2　NAND Flash存儲器

5.2.1　NAND Flash應(yīng)用結(jié)構(gòu)

5.2.2　NAND Flash應(yīng)用領(lǐng)域

5.2.3　NAND Flash重要細分

5.2.4　NAND Flash市場規(guī)模

5.2.5　NAND Flash競爭格局

5.2.6　NAND Flash價格走勢

5.2.7　SSD市場滲透率狀況

5.2.8　企業(yè)級SSD市場分析

5.2.9　數(shù)據(jù)時代的需求驅(qū)動

5.2.10　NAND Flash需求預(yù)測

5.3　NOR Flash存儲器

5.3.1　NOR Flash發(fā)展特點

5.3.2　NOR Flash市場規(guī)模

5.3.3　NOR Flash競爭格局

5.3.4　NOR Flash價格走勢

5.3.5　NOR Flash傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域

5.3.6　NOR Flash新興應(yīng)用領(lǐng)域

第6章:數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用需求前景分析

6.1數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用需求概述

6.1.1數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用需求領(lǐng)域

6.1.2數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用需求結(jié)構(gòu)

6.2政府領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用需求前景分析

6.2.1政府領(lǐng)域應(yīng)用需求背景分析

6.2.2政府領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用需求分析

6.2.3政府領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備解決方案分析

6.2. 4政府領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備市場規(guī)模分析

6.2.5政府領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備市場競爭格局

6.2. 6政府領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備需求前景預(yù)測

6.3醫(yī)療領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用需求前景分析

6.3.1醫(yī)療領(lǐng)域應(yīng)用需求背景分析

6.3.2醫(yī)療領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用需求分析

6.3.3醫(yī)療領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備解決方案分析

6.3.4醫(yī)療領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備市場規(guī)模分析

6.3.5醫(yī)療領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備市場競爭格局

6.3.6醫(yī)療領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備需求前景預(yù)測

6.4金融領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用需求前景分析

6.4.1金融領(lǐng)域應(yīng)用需求背景分析

6.4.2金融領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用需求分析

6.4.3金融領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備解決方案分析

6.4.4金融領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備市場規(guī)模分析

6.4.5金融領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備市場競爭格局

6.4.6金融領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備需求前景預(yù)測

6.5能源領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用需求前景分析

6.5.1能源領(lǐng)域應(yīng)用需求背景分析

6.5.2能源領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用需求分析

6.5.3能源領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備解決方案分析

6.5.4能源領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備市場規(guī)模分析

6.5.5能源領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備市場競爭格局

6.5.6能源領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備需求前景預(yù)測

6.6交通領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用需求前景分析

6.6.1交通領(lǐng)域應(yīng)用需求背景分析

6.6.2交通領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用需求分析

6.6.3交通領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備解決方案分析

6.6.4交通領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備市場規(guī)模分析

6.6.5交通領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備市場競爭格局

6.6.6交通領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備需求前景預(yù)測

6.7教育領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用需求前景分析

6.7.1教育領(lǐng)域應(yīng)用需求背景分析

6.7.2教育領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用需求分析

6.7.3教育領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備解決方案分析

6.7. 4教育領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備市場規(guī)模分析

6.7.5教育領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備市場競爭格局

6.7.6教育領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備需求前景預(yù)測

6.8廣電領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用需求前景分析

6.8.1廣電領(lǐng)域應(yīng)用需求背景分析

6.8.2廣電領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用需求分析

6.8.3廣電領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備解決方案分析

6.8.4廣電領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備市場規(guī)模分析

6.8.5廣電領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備市場競爭格局

6.8.6廣電領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲設(shè)備需求前景預(yù)測

第7章:數(shù)據(jù)存儲設(shè)備領(lǐng)先企業(yè)案例分析

7.1數(shù)據(jù)存儲設(shè)備行業(yè)企業(yè)發(fā)展總況

7.2國內(nèi)數(shù)據(jù)存儲設(shè)備領(lǐng)先企業(yè)案例分析

7.2.1A公司

(1)企業(yè)發(fā)展簡況分析

(2)企業(yè)存儲產(chǎn)品分析

(3)企業(yè)經(jīng)營情況分析

(4)企業(yè)核心競爭力分析

7.2.2B公司

(1)企業(yè)發(fā)展簡況分析

(2)企業(yè)存儲產(chǎn)品分析

(3)企業(yè)經(jīng)營情況分析

(4)企業(yè)核心競爭力分析

7.2.3C公司

(1)企業(yè)發(fā)展簡況分析

(2)企業(yè)存儲產(chǎn)品分析

(3)企業(yè)經(jīng)營情況分析

(4)企業(yè)核心競爭力分析

7.2.4D公司

(1)企業(yè)發(fā)展簡況分析

(2)企業(yè)存儲產(chǎn)品分析

(3)企業(yè)經(jīng)營情況分析

(4)企業(yè)核心競爭力分析

7.2.5E公司

(1)企業(yè)發(fā)展簡況分析

(2)企業(yè)存儲產(chǎn)品分析

(3)企業(yè)經(jīng)營情況分析

(4)企業(yè)核心競爭力分析

第8章:數(shù)據(jù)存儲設(shè)備前景預(yù)測與投資建議

8.1數(shù)據(jù)存儲設(shè)備行業(yè)發(fā)展趨勢與前景預(yù)測

8.1.1行業(yè)發(fā)展因素分析

8.1.2行業(yè)發(fā)展趨勢預(yù)測

(1)應(yīng)用發(fā)展趨勢

(2)產(chǎn)品發(fā)展趨勢

(3)技術(shù)趨勢分析

(4)競爭趨勢分析

(5)市場趨勢分析

8.1.3行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測

(1)數(shù)據(jù)存儲設(shè)備總體需求預(yù)測

(2)數(shù)據(jù)存儲設(shè)備細分產(chǎn)品需求預(yù)測

8.2數(shù)據(jù)存儲設(shè)備行業(yè)投資現(xiàn)狀與風(fēng)險分析

8.2.1行業(yè)投資現(xiàn)狀分析

8.2.2行業(yè)進入壁壘分析

8.2.3行業(yè)經(jīng)營模式分析

8.2.4行業(yè)投資風(fēng)險預(yù)警

8.3數(shù)據(jù)存儲設(shè)備行業(yè)投資機會分析