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刻蝕設(shè)備國產(chǎn)化率達(dá)到18%，比率處于逐年上升態(tài)勢（附報(bào)告目錄）

1、刻蝕設(shè)備行業(yè)概述

集成電路設(shè)備包括晶圓制造設(shè)備、封裝設(shè)備和測試設(shè)備等，晶圓制造設(shè)備的市場規(guī)模占比超過集成電路設(shè)備整體市場規(guī)模的80%。

相關(guān)報(bào)告：北京普華有策信息咨詢有限公司《刻蝕設(shè)備行業(yè)細(xì)分市場深度調(diào)研與投資投資可行性分析報(bào)告（2020-2026年）》

晶圓制造設(shè)備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計(jì)投資總額通常占整個(gè)晶圓廠投資總額的75%左右，其中刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備?？涛g（Etch）是IC制造中相當(dāng)重要的工藝，成本僅次于光刻（刻蝕20%，光刻30%），與光刻相聯(lián)系的圖形化處理?？涛g，狹義上就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分?？涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。

按照原理不同，刻蝕可分為干法和濕法兩種，其中干法刻蝕工藝占比90%以上。干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)，濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)，濕法刻蝕由于需要大量對人體和環(huán)境有害的腐蝕性化學(xué)試劑，逐步被干法刻蝕替代。

按被材料不同，刻蝕可分為硅刻蝕、介質(zhì)刻蝕和金屬刻蝕等，其市場占比分別為47%、48%和3%。介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕，如二氧化硅，接觸孔和通孔結(jié)構(gòu)的制作需要刻蝕介質(zhì)，而具有高深寬比（窗口的深與寬的比值）的窗口刻蝕具有一定的挑戰(zhàn)性。硅刻蝕應(yīng)用于需要去除硅的場合，如刻蝕多晶硅晶體管柵和硅槽電容。金屬刻蝕主要是在金屬層上去掉鋁合金復(fù)合層，制作出互連線。

2、全球刻蝕設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模分析

隨著集成電路制造線寬不斷縮小、芯片結(jié)構(gòu)3D化，互連層數(shù)增多，帶動(dòng)刻蝕和鍍膜需求增多，從2013年之后，刻蝕設(shè)備在產(chǎn)線中價(jià)值占比顯著提升。目前，全球刻蝕設(shè)備市場以介質(zhì)刻蝕和硅刻蝕為主，分別占比合約48%和47%，而金屬刻蝕僅3%，這與2010年后整個(gè)集成電路工藝從鋁互連（刻蝕鋁金屬）轉(zhuǎn)向銅互聯(lián)（刻蝕介質(zhì)）有關(guān)，金屬刻蝕與介質(zhì)刻蝕此消彼長。

先進(jìn)制程及芯片微縮帶動(dòng)設(shè)備需求，刻蝕行業(yè)迎增量。受限于193nm的浸沒式光刻機(jī)限制，晶圓制造向7納米、5納米以及更先進(jìn)的工藝發(fā)展，除了采用昂貴的EUV光刻機(jī)之外，14nm及以下的芯片制造很多都通過多重模板效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)制程微縮，刻蝕加工步驟增多。10nm制程是關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，相較于14nm，其刻蝕步驟為115步，增加77%，到5nm制程刻蝕步驟將是14nm的2.5倍及以上。

2014-2016年全球刻蝕設(shè)備市場規(guī)模處于60億美元左右震蕩態(tài)勢。2017、2018年增長率出現(xiàn)突破式增長，尤其是2017年增長率高達(dá)41%以上，到2018年市場規(guī)模創(chuàng)出新高，突破100億美元。預(yù)計(jì)未來幾年，全球刻蝕設(shè)備行業(yè)規(guī)模將處于穩(wěn)健增長趨勢。

2014-2018年全球刻蝕設(shè)備市場規(guī)模增長分析

刻蝕設(shè)備行業(yè)細(xì)分市場深度調(diào)研與投資投資可行性分析報(bào)告（2020-2026年）(圖1)

資料來源：普華有策市場研究中心

3、全球刻蝕設(shè)備行業(yè)競爭格局分析

從全球市場分析，在需求增長較快的刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，行業(yè)集中度較高，泛林半導(dǎo)體占據(jù)刻蝕設(shè)備市場份額半壁江山。泛林半導(dǎo)體市場份額約55%，東京電子其次，市占率約20%，應(yīng)用材料與東京電子相當(dāng)，市占率約19%。

4、刻蝕設(shè)備國產(chǎn)化程度分析

目前，刻蝕機(jī)國產(chǎn)化率達(dá)到18%，晶圓加工核心設(shè)備中國產(chǎn)化率占比最高的，且比率處于逐年上升態(tài)勢。中微公司和北方華創(chuàng)市場份額占比較大，國產(chǎn)化貢獻(xiàn)率較高。根據(jù)中芯國際、長江存儲(chǔ)和合肥睿力的招標(biāo)情況看，從中微采購的刻蝕機(jī)臺數(shù)占整體刻蝕機(jī)臺采購比例約15-20%，逼近東京電子和應(yīng)用材料，進(jìn)步明顯。

相比國際企業(yè)來說，國產(chǎn)刻蝕設(shè)備品類還不夠完整，針對不同工藝的刻蝕設(shè)備逐步驗(yàn)證和量產(chǎn)。中微國際大廠泛林半導(dǎo)體和應(yīng)用材料可實(shí)現(xiàn)CCP和ICP、介質(zhì)/硅/金屬刻蝕、7nm及以上的全方位覆蓋，中微公司和北方華創(chuàng)尚未實(shí)現(xiàn)全覆蓋。中微介質(zhì)刻蝕設(shè)備較強(qiáng)，該企業(yè)5nm蝕刻設(shè)備已經(jīng)獲得批量訂單?？蛻舭ㄅ_積電、三星、中芯國際等國內(nèi)外大廠，其用于多晶硅柵工藝的硅刻蝕設(shè)備正在驗(yàn)證中。北方華創(chuàng)在介質(zhì)刻蝕和硅刻蝕設(shè)備均由布局，用于淺槽隔離的介質(zhì)刻蝕設(shè)備已量產(chǎn)，硅刻蝕設(shè)備也已量產(chǎn)，金屬刻蝕設(shè)備也有布局，擁有中芯國際、華虹、華力等國內(nèi)一流客戶。

5、主要競爭企業(yè)分析

（1）泛林半導(dǎo)體

公司成立于1980年，系美國納斯達(dá)克證券交易所上市公司（股票代碼：LRCX），主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、晶圓清洗設(shè)備、光致抗蝕設(shè)備等。泛林半導(dǎo)體于2001年在上海成立了全資子公司“泛林半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)（上海）有限公司”。

（2）東京電子

公司成立于1963年，系東京證券交易所上市公司（股票代碼：8035），主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括熱處理成膜設(shè)備、等離子刻蝕機(jī)、單晶圓沉積設(shè)備、表面處理設(shè)備、晶圓測試設(shè)備、涂膠機(jī)和顯影機(jī)等。

（3）應(yīng)用材料

公司成立于1967年，系美國納斯達(dá)克證券交易所上市公司（股票代碼：AMAT），主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括原子層沉積設(shè)備、化學(xué)薄膜沉積設(shè)備、電化學(xué)沉積設(shè)備、物理薄膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備、快速熱處理設(shè)備、離子注入機(jī)、化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備等。

（4）維易科

公司成立于1945年，系美國納斯達(dá)克證券交易所上市公司（股票代碼：VECO），主要從事薄膜加工設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品或技術(shù)包括MOCVD設(shè)備、分子束外延、光刻設(shè)備等。

（5）愛思強(qiáng)

公司成立于1983年，系法蘭克福證券交易所上市公司（股票代碼：A0WMPJ），主要從事沉積系統(tǒng)設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括MOCVD設(shè)備、有機(jī)薄膜沉積設(shè)備、聚合物薄膜沉積設(shè)備、等離子體增強(qiáng)化學(xué)薄膜沉積設(shè)備和化學(xué)薄膜淀積設(shè)備等。

（6）北方華創(chuàng)

北方華創(chuàng)成立于2001年，系深圳證券交易所上市公司（股票代碼：002371），主要從事基礎(chǔ)電子產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)業(yè)務(wù)，主要產(chǎn)品包括刻蝕機(jī)、物理氣相沉積設(shè)備、化學(xué)氣相淀積設(shè)備、氧化爐、擴(kuò)散爐、清洗機(jī)及鋰電極片裝備等半導(dǎo)體設(shè)備及零部件。

（7）中微公司

中微公司涉足半導(dǎo)體集成電路制造、先進(jìn)封裝、LED生產(chǎn)、MEMS制造以及其他微觀工藝的高端設(shè)備領(lǐng)域，瞄準(zhǔn)世界科技前沿，堅(jiān)持自主創(chuàng)新。公司的等離子體刻蝕設(shè)備已在國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米的集成電路加工制造及先進(jìn)封裝中有具體應(yīng)用。公司的MOCVD設(shè)備在行業(yè)領(lǐng)先客戶的生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn)，公司已成為世界排名前列、國內(nèi)占領(lǐng)先地位的氮化鎵基LED設(shè)備制造商。

報(bào)告目錄

第一章刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展概述

第一節(jié)刻蝕設(shè)備行業(yè)定義及分類

一、行業(yè)定義

二、行業(yè)主要產(chǎn)品分類

三、行業(yè)主要商業(yè)模式

第二節(jié)刻蝕設(shè)備行業(yè)特征分析

一、產(chǎn)業(yè)鏈分析

二、刻蝕設(shè)備行業(yè)在國民經(jīng)濟(jì)中的地位

第三節(jié)刻蝕設(shè)備行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈分析

第二章刻蝕設(shè)備行業(yè)技術(shù)現(xiàn)狀與趨勢預(yù)測分析

第一節(jié)刻蝕設(shè)備材料與外延技術(shù)現(xiàn)狀及趨勢預(yù)測分析

一、設(shè)備技術(shù)現(xiàn)狀及趨勢預(yù)測分析

二、襯底現(xiàn)狀及趨勢預(yù)測分析

三、外延技術(shù)現(xiàn)狀及趨勢預(yù)測分析

四、無熒光粉單芯片白光LED技術(shù)

五、其他顏色LED技術(shù)現(xiàn)狀及趨勢預(yù)測分析

第二節(jié)刻蝕設(shè)備工藝現(xiàn)狀及趨勢預(yù)測分析

一、正裝芯片

二、垂直結(jié)構(gòu)芯片

三、倒裝芯片

四、高壓交/直流驅(qū)動(dòng)LED

五、CSP（芯片級封裝）

第三章全球刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展分析

第一節(jié)全球刻蝕設(shè)備行業(yè)特點(diǎn)分析

第二節(jié)全球刻蝕設(shè)備行業(yè)規(guī)模分析

一、全球LED行業(yè)MOCVD數(shù)量分析

二、全球刻蝕設(shè)備行業(yè)產(chǎn)值規(guī)模分析

第三節(jié)國外刻蝕設(shè)備典型企業(yè)分析

第四章我國刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展分析

第一節(jié)我國刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展?fàn)顩r分析

一、我國刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展階段

二、我國刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展總體概況

三、我國刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展特點(diǎn)分析

四、我國刻蝕設(shè)備行業(yè)商業(yè)模式分析

第二節(jié)我國刻蝕設(shè)備行業(yè)市場供需情況分析

一、2015-2019年我國刻蝕設(shè)備行業(yè)市場供給分析

二、2015-2019年我國刻蝕設(shè)備行業(yè)市場需求分析

三、2015-2019年我國刻蝕設(shè)備行業(yè)產(chǎn)品價(jià)格分析

第三節(jié)我國刻蝕設(shè)備市場價(jià)格走勢分析

一、刻蝕設(shè)備市場定價(jià)機(jī)制組成

二、刻蝕設(shè)備市場價(jià)格影響因素

三、刻蝕設(shè)備產(chǎn)品價(jià)格走勢分析

第五章刻蝕設(shè)備行業(yè)細(xì)分產(chǎn)品市場調(diào)研分析

第一節(jié)刻蝕設(shè)備行業(yè)細(xì)分產(chǎn)品——**市場調(diào)研

一、**發(fā)展現(xiàn)狀調(diào)研

二、**發(fā)展趨勢預(yù)測分析

第二節(jié)刻蝕設(shè)備行業(yè)細(xì)分產(chǎn)品——**市場調(diào)研

一、**發(fā)展現(xiàn)狀調(diào)研

二、**發(fā)展趨勢預(yù)測分析

第六章中國刻蝕設(shè)備行業(yè)應(yīng)用市場調(diào)研

第一節(jié)刻蝕設(shè)備主要應(yīng)用領(lǐng)域分析

第二節(jié)背光市場現(xiàn)狀及趨勢預(yù)測

一、背光市場現(xiàn)狀分析

二、背光市場規(guī)模分析

三、背光市場競爭格局

四、背光市場趨勢預(yù)測

第三節(jié)顯示屏市場現(xiàn)狀及趨勢預(yù)測

一、顯示屏市場現(xiàn)狀分析

二、顯示屏市場規(guī)模分析

三、顯示屏市場競爭格局

四、顯示屏市場趨勢預(yù)測

第四節(jié)照明市場現(xiàn)狀及趨勢預(yù)測

一、照明市場現(xiàn)狀分析

二、照明市場規(guī)模分析

三、照明市場競爭格局

四、照明市場趨勢預(yù)測

第五節(jié)其他應(yīng)用市場現(xiàn)狀及趨勢預(yù)測

一、LED植物照明

二、LED汽車照明

三、UV LED應(yīng)用

第七章刻蝕設(shè)備行業(yè)上下游產(chǎn)業(yè)分析

第一節(jié)刻蝕設(shè)備產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

第二節(jié)上游產(chǎn)業(yè)分析

一、發(fā)展現(xiàn)狀調(diào)研

二、發(fā)展趨勢預(yù)測分析

三、市場現(xiàn)狀分析

四、行業(yè)競爭狀況及其對刻蝕設(shè)備行業(yè)的意義

第三節(jié)下游產(chǎn)業(yè)分析

一、發(fā)展現(xiàn)狀調(diào)研

二、發(fā)展趨勢預(yù)測分析

三、市場現(xiàn)狀分析

四、行業(yè)新動(dòng)態(tài)及其對刻蝕設(shè)備行業(yè)的影響

五、行業(yè)競爭狀況及其對刻蝕設(shè)備行業(yè)的意義

四、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整方向分析

第四節(jié)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整方向分析

第八章中國刻蝕設(shè)備行業(yè)主要企業(yè)調(diào)研分析

第一節(jié)A

一、基本狀況分析

二、運(yùn)營能力分析

三、發(fā)展能力分析